امیر هاشمی

استادیار

مهندسی برق (الکترونیک، مخابرات)

دانشکده فنی و مهندسی

تلفن: 32324401-2305

hashemi.amir@eng.sku.ac.ir

دفتر کار مجازی

زمینه های تحقیقاتی
   تحلیل و مدلسازی ادوات نیمه هادی در حوزه سیگنال و نویز : بر اساس رفتار فیزیکی حاملهای بار درون نیمه هادیها، رفتار الکتریکی آنها مانند جریان الکتریکی بررسی و روابط ریاضی برای محاسبه کمیتهای الکتریکی ارایه می شود. تحلیل این رفتار و ارایه روابط فرم بسته از مباحث مورد تحقیق می باشد. همچنین به دلیل وجود منابع نویز درون ادوات نیمه هادی، رفتار الکتریکی آنها تحت تاثیر قرار می گیرد. محاسبه روابط ریاضی برای بیان اثر منابع نویز و چگالی طیف توان آنها، از مباحث مورد تحقیق می باشد.
   تحلیل و مدلسازی نویز فاز و جیتر در نوسان سازهای الکتریکی: به دلیل منابع نویز ادوات نیمه هادی سازنده مدارهای نوسان ساز، و نیز به دلیل عملکرد غیر خطی این مدارات، منابع نویز توسط مدار مدوله شده، مشخصه فاز خروجی نوسان سازها را تحت تاثیر قرار می دهند. این تغییرات تصادفی در حوزه زمان با نام جیتر و در حوزه فرکانس با نام نویز فاز شناخته می شوند. تحلیل و مدلسازی ریاضی نویز فاز و جیتر از مباحث مورد تحقیق می باشد.



سوابق تحصیلی
   دکتری، مهندسی برق، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)، ایران ، تاريخ فارغ التحصيلی: ١٣٩١
   کارشناسی ارشد، مهندسی برق، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)، ایران ، تاريخ فارغ التحصيلی: ١٣٨٤
   کارشناسی ، مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، ایران ، تاريخ فارغ التحصيلی: ١٣٨٢

مقالات
International Journal
1. S.A. Hashemi et al, Modeling Subthreshold Slope and DIBL in Quasi-Ballistic Surrounding Gate MOSFETs , International Journal of Electronics and Electrical Engineering 6:48-52, 2018, DOI: 10.18178/ijeee.6.3.48-52
2. S.A. Hashemi et al, Semianalytical Modeling of Effects of the Depletion Layers on Threshold Voltage of a Junctionless Double Gate MOSFET Including Trapped Charges , International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 31:1-18, 2018, DOI: 10.1002/jnm.2343
3. S.A Hashemi et al, Phase noise of electrical oscillators due to multi-Lorentzian noise sources based on the LTV model , IET Microwaves, Antennas & Propagation 11:1549-1557, 2017, DOI: 10.1049/iet-map.2016.0708
4. S.A Hashemi et al, Increasing ION/IOFF by embedding a low doped buried layer in the channel of a dual-material double-gate junctionless MOSFET , International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 1:1-15, 2019, DOI: 10.1002/jnm.2677
5. S.A. Hashemi et al, Modeling of Fringing Capacitances of Ion-Implanted Double-Gate Junctionless FETs Using Conformal Mapping , IEEE Transactions on Electron Devices 66:4126-4133, 2019, DOI: 10.1109/TED.2019.2937205
6. S.A Hashemi et al, Double-Gate Field-Effect Diode: A Novel Device for Improving Digital-and-Analog Performance , IEEE Transactions on Electron Devices 67:18-25, 2020, DOI: 10.1109/TED.2019.2955638
7. R. Molavi, S.A. Hashemi, Comments on “A New Dual-Material Double-Gate (DMDG) Nanoscale SOI MOSFET—Two-Dimensional Analytical Modeling and Simulation" , IEEE Trans. On Nanotechnology, To be Published, DOI: :10.1109/TNANO.2014.2310738
8. S. A. Hashemi, H. Ghafoorifard, A. Abdipour, Extension of the LTV Phase Noise Model of Electrical Oscillators for the Output Harmonics , IEICE Trans. On Electronics, Vol. E95-C, No. 12, pp. 1846-1856, Dec. 2012
9. S. A. Hashemi, H. Ghafoorifard, A. Abdipour, Amplitude Noise Investigation in Electrical Oscillators Based on the LTV model , Journal of Electronics and Electrical Engineering, Vol. 18, No. 8, pp 31-36, Oct. 2012
10. S. A. Hashemi, H. Ghafoorifard, A. Abdipour,, Superposition properties of Phase Noise based on the LTV Model , Analog Integrated Circuits, Springer, Vol. 73, No. 1, pp 423-426, Oct. 2012
Research Journal
١١. سید امیر هاشمی, مدل تحليلي پتانسيل و ولتاژ آستانه ترانزيستور ماسفت دوگيتي با گيت دوماده اي بدون آلايش , مجله مهندسي برق دانشگاه تبريز - شماره 47- صص 1759-1759- سال 1396
١٢. سید امیر هاشمی, مدل تحليلي جريان الکتريکي مبتني بر بار با در نظر گرفتن ميدان الکتريکي عرضي براي نانو ترانزيستور ماسفت دو گيتي , مجله مهندسي برق دانشگاه تبريز - شماره 48- صص 1867-1878 - سال 1397
International Conference
13. SA. Hashemi, A. Abdipour, A. Fassihi, A New Approach to Distributed Modeling of MESFETs , IEEE conference on Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), China, 2005
14. Hashemi SA, Ghofoorifard H,, The Effect of Input Resistance on Variations of Small Signal Parameters of A Distributed MESFET Transistor , IEEE Conference on Electron-Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), Taiwan, 2007
15. Khorasaninejad M., Hashemi SA,, A Novel Exponential Structure for Silicon Waveguides for Increasing Net Optical Raman Gain , IEEE National Conference on Telecommunication Technologies and Malaysia Conference on Photonics, Malaysia, 2008
16. Ghanadian Z., Hashemi SA, , A Compact Model of the Long Channel Undoped Surrounding Gate MOSFETs based on the Carrier-Based Approach , 4th international conference on electrical, computer, mechanical and mechatronics engineering (ICE2016), Dubai, Feb. 2016
17. Ramezani B., Hashemi SA,, Channel Potential of Nanowire MOSFETs with considering the Quantum Gate Capacitance , 7th International Congress on Nanoscience and Nanotechnology (ICNN 2018), Research institute of Petrolium Industry, Tehran, 2018
18. Beigi K., Hashemi SA,, A Double-Gate Junctionless MOSFET with GaAs Gaussian-Doped channel for Reducing Short Channel Effects , 7th International Congress on Nanoscience and Nanotechnology (ICNN 2018), Research institute of Petrolium Industry, Tehran, 2018
19. Ghaffari dehkordi M, Hashemi SA , Analytical Model for the Threshold Voltage of a Double Gate Tunneling MOSFET Including the Source/Drain Depletion Regions , 10th International Conference on Information Technology and Electrical Engineering, Bali, Indonesia, 2018
National Conference
٢٠. بيگی هرچگانی ک، هاشمی ا, مدل دو بعدی نانو ترانزيستورهای دو گيتی بدون اتصال در حضور حاملهای داغ , سومين كنفرانس ملی پژوهشهای كاربردی در برق، مكانيك و مكاترونيك - دانشگاه مالک اشتر - 1394
٢١. سليمانی دهکردی ن، هاشمی ا, تحليل شيب زير آستانه ترانزيستور ماسفت دو گيتی با گيت دو ماده ای متقارن , چهارمین كنفرانس ملی پژ‍وهشهای كاربردی در مهندسی برق،‌ مكانيك و مكاترونيك - دانشگاه مالک اشتر - 1395
٢٢. ملکپور ا، هاشمی ا, طراحی يک گيت معکوس کننده مستقل مبتنی بر پيوند لغزش فاز کوانتومی برای محاسبات کوانتومی , اولين کنفرانس ميکروالکترونيک ايران - پژوهشکده میکروالکترونیک - 1398
٢٣. احمدی هفشجانی ش، هاشمی ا, مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزيستور با گيت احاطه شده دو ماده ای در شرايط کاری زير آستانه , چهارمین كنفرانس ملی پژ‍وهشهای كاربردی در مهندسی برق،‌ مكانيك و مكاترونيك - دانشگاه مالک اشتر - 1395
٢٤. عمرانپور شهرضا ش، هاشمی ا, افزايش تعداد ورودی گيتهای منطقی پايه مبتنی بر ساختار ابررسانای QPSJ , ششمين كنفرانس ملی پژ‍وهشهای كاربردی در مهندسی برق،‌ مكانيك و مكاترونيك - دانشگاه مالک اشتر - 1399



کتب و جزوات



افتخارات
١. استاد نمونه آموزشی دانشکده فنی و مهندسی 1395



پایان نامه ها
ردیف نام دانشجو عنوان تاریخ دفاع
١. شادی عمرانپور افزایش تعداد ورودی گیت های منطقی پایه مبتنی بر ساختار ابررسانای QPSJ سه شنبه ٥ اسفند ١٣٩٩
٢. زینب یزدانی‌بخش طراحی یک pin دیود با کنترل گیت برای کاهش اثرات جریان غیرخطی سه شنبه ٢٩ مهر ١٣٩٩
٣. اعظم ملک پور دهکردی طراحی گیت‌های منطقی با استفاده از ساختار ابررسانای QPSJ سه شنبه ٢٩ مهر ١٣٩٩
٤. کبری بیگی هرچگانی مدل سازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای ماسفت بدون اتصال با ابعاد نانو جمعه ١ فروردين ١
٥. زهرا قنادیان مدل سازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در نانو ماسفت های با گیت احاطه شده با استفاده از تئوری مقیاس جمعه ١ فروردين ١
٦. نسیم سلیمانی دهکردی تحلیل اثرات کانال کوتاه در نانو ماسفت های دو گیتی با گیت دو ماده ای در حضور حاملهای بار آزاد جمعه ١ فروردين ١
٧. شکوفه احمدی هفشجانی بررسی اثرات کانال کوتاه در نانو ماسفتهای با گیت احاطه شده دو ماده ای در شرایط کاری زیر آستانه جمعه ١ فروردين ١
٨. مریم اسماعیلی تحلیل اثرات بالستیکی بر اثرات کانال کوتاه در نانو ترانزیستورهای با گیت احاطه شده جمعه ١ فروردين ١
٩. پژمان پور ملا تحلیل مشخصات الکتریکی دیودهای اثر میدانی جمعه ١ فروردين ١
١٠. رضوان مولوی مدلسازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ماسفتهای دوگیتی با گیت دو ماده ای در ابعاد نانو جمعه ١ فروردين ١
١١. سیده مهشاد غفاری تحلیل تاثیر ناحیه تخلیه بر ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت تونلی دو گیتی جمعه ١ فروردين ١






کلیه حقوق سایت برای دانشگاه شهرکرد محفوظ است