International Journal |
| 1. S.A. Hashemi et al, Modeling Subthreshold Slope and DIBL in Quasi-Ballistic Surrounding Gate MOSFETs , International Journal of Electronics and Electrical Engineering 6:48-52, 2018, DOI: 10.18178/ijeee.6.3.48-52 |
| 2. S.A. Hashemi et al, Semianalytical Modeling of Effects of the Depletion Layers on Threshold Voltage of a Junctionless Double Gate MOSFET Including Trapped Charges , International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 31:1-18, 2018, DOI: 10.1002/jnm.2343 |
| 3. S.A Hashemi et al, Phase noise of electrical oscillators due to multi-Lorentzian noise sources based on the LTV model , IET Microwaves, Antennas & Propagation 11:1549-1557, 2017, DOI: 10.1049/iet-map.2016.0708 |
| 4. S.A Hashemi et al, Increasing ION/IOFF by embedding a low doped buried layer in the channel of a dual-material double-gate junctionless MOSFET , International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 1:1-15, 2019, DOI: 10.1002/jnm.2677 |
| 5. S.A. Hashemi et al, Modeling of Fringing Capacitances of Ion-Implanted Double-Gate Junctionless FETs Using Conformal Mapping , IEEE Transactions on Electron Devices 66:4126-4133, 2019, DOI: 10.1109/TED.2019.2937205 |
| 6. S.A Hashemi et al, Double-Gate Field-Effect Diode: A Novel Device for Improving Digital-and-Analog Performance , IEEE Transactions on Electron Devices 67:18-25, 2020, DOI: 10.1109/TED.2019.2955638 |
| 7. R. Molavi, S.A. Hashemi, Comments on “A New Dual-Material Double-Gate (DMDG) Nanoscale SOI MOSFET—Two-Dimensional Analytical Modeling and Simulation" , IEEE Trans. On Nanotechnology, To be Published, DOI: :10.1109/TNANO.2014.2310738 |
| 8. S. A. Hashemi, H. Ghafoorifard, A. Abdipour, Extension of the LTV Phase Noise Model of Electrical Oscillators for the Output Harmonics , IEICE Trans. On Electronics, Vol. E95-C, No. 12, pp. 1846-1856, Dec. 2012 |
| 9. S. A. Hashemi, H. Ghafoorifard, A. Abdipour, Amplitude Noise Investigation in Electrical Oscillators Based on the LTV model , Journal of Electronics and Electrical Engineering, Vol. 18, No. 8, pp 31-36, Oct. 2012 |
| 10. S. A. Hashemi, H. Ghafoorifard, A. Abdipour,, Superposition properties of Phase Noise based on the LTV Model , Analog Integrated Circuits, Springer, Vol. 73, No. 1, pp 423-426, Oct. 2012 |
Research Journal |
| ١١. سید امیر هاشمی, مدل تحليلي پتانسيل و ولتاژ آستانه ترانزيستور ماسفت دوگيتي با گيت دوماده اي بدون آلايش , مجله مهندسي برق دانشگاه تبريز - شماره 47- صص 1759-1759- سال 1396 |
| ١٢. سید امیر هاشمی, مدل تحليلي جريان الکتريکي مبتني بر بار با در نظر گرفتن ميدان الکتريکي عرضي براي نانو ترانزيستور ماسفت دو گيتي , مجله مهندسي برق دانشگاه تبريز - شماره 48- صص 1867-1878 - سال 1397 |
International Conference |
| 13. SA. Hashemi, A. Abdipour, A. Fassihi, A New Approach to Distributed Modeling of MESFETs , IEEE conference on Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), China, 2005 |
| 14. Hashemi SA, Ghofoorifard H,, The Effect of Input Resistance on Variations of Small Signal Parameters of A Distributed MESFET Transistor , IEEE Conference on Electron-Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), Taiwan, 2007 |
| 15. Khorasaninejad M., Hashemi SA,, A Novel Exponential Structure for Silicon Waveguides for Increasing Net Optical Raman Gain , IEEE National Conference on Telecommunication Technologies and Malaysia Conference on Photonics, Malaysia, 2008 |
| 16. Ghanadian Z., Hashemi SA, , A Compact Model of the Long Channel Undoped Surrounding Gate MOSFETs based on the Carrier-Based Approach , 4th international conference on electrical, computer, mechanical and mechatronics engineering (ICE2016), Dubai, Feb. 2016 |
| 17. Ramezani B., Hashemi SA,, Channel Potential of Nanowire MOSFETs with considering the Quantum Gate Capacitance , 7th International Congress on Nanoscience and Nanotechnology (ICNN 2018), Research institute of Petrolium Industry, Tehran, 2018 |
| 18. Beigi K., Hashemi SA,, A Double-Gate Junctionless MOSFET with GaAs Gaussian-Doped channel for Reducing Short Channel Effects , 7th International Congress on Nanoscience and Nanotechnology (ICNN 2018), Research institute of Petrolium Industry, Tehran, 2018 |
| 19. Ghaffari dehkordi M, Hashemi SA , Analytical Model for the Threshold Voltage of a Double Gate Tunneling MOSFET Including the Source/Drain Depletion Regions , 10th International Conference on Information Technology and Electrical Engineering, Bali, Indonesia, 2018 |
National Conference |
| ٢٠. بيگی هرچگانی ک، هاشمی ا, مدل دو بعدی نانو ترانزيستورهای دو گيتی بدون اتصال در حضور حاملهای داغ , سومين كنفرانس ملی پژوهشهای كاربردی در برق، مكانيك و مكاترونيك - دانشگاه مالک اشتر - 1394 |
| ٢١. سليمانی دهکردی ن، هاشمی ا, تحليل شيب زير آستانه ترانزيستور ماسفت دو گيتی با گيت دو ماده ای متقارن , چهارمین كنفرانس ملی پژوهشهای كاربردی در مهندسی برق، مكانيك و مكاترونيك - دانشگاه مالک اشتر - 1395 |
| ٢٢. ملکپور ا، هاشمی ا, طراحی يک گيت معکوس کننده مستقل مبتنی بر پيوند لغزش فاز کوانتومی برای محاسبات کوانتومی , اولين کنفرانس ميکروالکترونيک ايران - پژوهشکده میکروالکترونیک - 1398 |
| ٢٣. احمدی هفشجانی ش، هاشمی ا, مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزيستور با گيت احاطه شده دو ماده ای در شرايط کاری زير آستانه , چهارمین كنفرانس ملی پژوهشهای كاربردی در مهندسی برق، مكانيك و مكاترونيك - دانشگاه مالک اشتر - 1395 |
| ٢٤. عمرانپور شهرضا ش، هاشمی ا, افزايش تعداد ورودی گيتهای منطقی پايه مبتنی بر ساختار ابررسانای QPSJ , ششمين كنفرانس ملی پژوهشهای كاربردی در مهندسی برق، مكانيك و مكاترونيك - دانشگاه مالک اشتر - 1399 |